據華拓冶金了解到;我國自主研制的一款高純半絕緣碳化硅產品面世。中國電子材料行業協會組織的鐵合金專家認為，該成果國內領先已達到國際先進水平。此前成功研制了從2英寸到6英寸的碳化硅襯底，完成了我國碳化硅半導體從無到有的過程。我國也實現了碳化硅材料大規模量產，標志著我國碳化硅材料發展逐漸走向成熟。

我們都知道，目前國內大多數的半導體材料都是單晶硅，長期以來，我國的單晶硅主要依靠進口。與單晶硅相比碳化硅材料的制作和應用一直都存在很大的困難，當前世界上研發碳化硅器件的主要有美國、德國、瑞士、日本等國家，但國內的碳化硅工業應用主要是作為冶金材料使用。瑞士ABB曾經一度成功開發出碳化硅二極管，然而在2002年，由于工藝困難、前景不明，ABB終止了碳化硅項目，可見研發難度之大。

由于碳化硅物的理特性與單晶體硅有很大不同。單晶碳化硅比單晶硅具有很多優越的物理特性，例如大約10倍的電場強度、大約高3倍的熱導率、大約寬3倍禁帶寬度、大約高一倍的飽和漂移速度。除此之外，在具體的應用上，雖然碳化硅器件的工藝難度比單晶硅大很多，但是一旦解決工藝問題，碳化硅器件制造流程短，體積重量小、抗氧化壽命長、輸出功率高的特點，將使其成為遠優于單晶硅的21世紀理想半導體材料。

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